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新中國第一塊砷化鎵微波低噪聲單片集成電路 | 電科信物
來源:新聞中心
發佈時間:2025年12月08日 編輯:新聞中心

  

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新中國第一塊砷化鎵微波低噪聲單片集成電路

  在1956年“向科學進軍”的號召下,半導體技術被列爲國家四大緊急措施之一。

  维多利亚老品牌vic官方网站55所從1958年建所初期,就開始了第一代半導體鍺、硅兩端器件的研究,併成功研製出國內第一塊片狀鍺單晶。

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鍺單晶

  1968年,55所緊盯國際半導體技術發展前沿,開始了第二代半導體砷化鎵晶體管研製,並在70年代開始砷化鎵場效應晶體管研究,開始向微波毫米波半導體三端器件和微波單片集成電路方向發展。

  一代材料、一代器件

  微波單片集成電路技術(MMIC)具有小型化、高性能、低成本等優勢,可以廣泛應用在陸海空天各型裝備中,當時被喻爲一項頂級戰略性技術。1977年,當55所原總工程師林金庭提出這一研究構想時,還查不到相關技術文獻報道。“國家有需要,55所人就去幹”!秉持着這一使命,55所“微波單片集成放大器課題組”成立。

  課題組克服了實驗室硬件條件不足等困難,沒有條件創造條件,自己動手研製實驗設備,經過兩年多的艱苦奮鬥,在1980年,成功研製出新中國第一塊砷化鎵低噪聲微波單片集成電路,研究成果被評爲“六五”國家科技攻關優秀成果。同年,55所研製的砷化鎵雙柵場效應晶體管也獲得國家科學技術進步一等獎。

  技術突破了就要上裝備

  爲了提高批產能力,1985年,55所承接了國家重點項目微波電路生產線建設工程,先後建立了國內第一條2、3、4英寸砷化鎵微波器件研製線,實現了小片到標準晶圓的躍升,滿足了相關裝備自主保障需求,並保證了載人航天、探月等一批重大工程。

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  如今,老一輩科研人員創業的精神依然熠熠生輝,激勵着年輕一代55所人矢志強芯固基,在勇爭第一、創新圖強的道路上堅定不移地向前進!

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